артықшылықтарыШыны арқылы (TGV)және TGV арқылы Silicon Via (TSV) процестері негізінен:
(1) тамаша жоғары жиілікті электр сипаттамалары. Шыны материал оқшаулағыш материал болып табылады, диэлектрлік өтімділік кремний материалының шамамен 1/3 бөлігін ғана құрайды, ал жоғалту коэффициенті кремний материалынан 2-3 рет төмен, бұл субстраттың жоғалуын және паразиттік әсерді айтарлықтай азайтады. және берілетін сигналдың тұтастығын қамтамасыз етеді;
(2)үлкен өлшемді және өте жұқа шыны субстраталу оңай. Corning, Asahi және SCHOTT және басқа шыны өндірушілер ультра үлкен өлшемді (>2м × 2м) және ультра жұқа (<50μm) панельдік шыны мен ультра жұқа икемді шыны материалдарын қамтамасыз ете алады.
3) Төмен құны. Үлкен өлшемді ультра жұқа панельді шыныға оңай қол жеткізуді пайдаланыңыз және оқшаулағыш қабаттарды қоюды қажет етпейді, шыны адаптер пластинасын өндіру құны кремний негізіндегі адаптер тақтасының шамамен 1/8 бөлігін құрайды;
4) Қарапайым процесс. Субстраттың бетіне және TGV ішкі қабырғасына оқшаулағыш қабатты салудың қажеті жоқ, сондай-ақ ультра жұқа адаптер тақтасында жұқару қажет емес;
(5) Күшті механикалық тұрақтылық. Адаптер пластинасының қалыңдығы 100 мкм-ден аз болса да, деформация әлі де аз болады;
(6) Қолданулардың кең ауқымы - бұл вафли-деңгейлі қаптама саласында қолданылатын, вафли-вафли арасындағы ең қысқа қашықтыққа жету үшін, интерконнекттің минималды қадамы жаңа технология жолын қамтамасыз етеді, тамаша электрлік , термиялық, механикалық қасиеттері, RF чипінде, жоғары сапалы MEMS сенсорларында, жоғары тығыздықтағы жүйе интеграциясында және бірегей артықшылықтары бар басқа салаларда 5G, 6G жоғары жиілікті чип 3D келесі буыны болып табылады. Бұл бірінші таңдаулардың бірі Жаңа буын 5G және 6G жоғары жиілікті чиптердің 3D қаптамасы.
TGV қалыптау процесіне негізінен құм үрлеу, ультрадыбыстық бұрғылау, дымқыл ою, терең реактивті ионды ою, фотосезімтал ою, лазерлік ою, лазермен индукцияланған тереңдік ою және фокустау ағызу тесігінің қалыптасуы кіреді.
Жақында жүргізілген зерттеулер мен әзірлемелердің нәтижелері технологияның тереңдігі мен еніне қатынасы 20:1 болатын саңылаулар мен 5:1 соқыр тесіктер арқылы дайындала алатынын және жақсы морфологиясы бар екенін көрсетеді. Кішкене беттің кедір-бұдырына әкелетін лазерлік индукциялық терең оймалау қазіргі уақытта ең көп зерттелген әдіс болып табылады. 1-суретте көрсетілгендей, кәдімгі лазерлік бұрғылаудың айналасында айқын жарықтар бар, ал лазермен индукцияланған терең оюдың айналасындағы және бүйір қабырғалары таза және тегіс.
өңдеу процесіTGVИнтерпозер 2-суретте көрсетілген. Жалпы схема алдымен шыны негізге саңылауларды бұрғылау, содан кейін бүйірлік қабырға мен бетке тосқауыл қабаты мен тұқым қабатын салу. Кедергі қабаты Cu-ның шыны субстратқа диффузиясын болдырмайды, ал екеуінің адгезиясын жоғарылату кезінде, әрине, кейбір зерттеулерде тосқауыл қабатының қажет емес екендігі анықталды. Содан кейін Cu электропландау арқылы тұндырылады, содан кейін күйдіріледі, ал Cu қабаты CMP арқылы жойылады. Ақырында, RDL қайта сым қабаты PVD жабын литографиясы арқылы дайындалады, ал пассивация қабаты желім жойылғаннан кейін қалыптасады.
(а) пластинаны дайындау, (б) TGV қалыптастыру, (c) екі жақты электропландау – мысты тұндыру, (d) күйдіру және CMP химиялық-механикалық жылтырату, беткі мыс қабатын жою, (e) PVD жабыны және литография , (f) RDL сымын қайта орнату қабатын орналастыру, (g) желімсіздену және Cu/Ti ою, (h) пассивация қабатын қалыптастыру.
Қорытындылай келе,әйнек арқылы өтетін тесік (TGV)қолдану перспективалары кең, ал қазіргі ішкі нарық жабдықтан өнім дизайнына және ғылыми-зерттеу және әзірлемелердің өсу қарқыны әлемдік орташа деңгейден жоғары.
Бұзушылық болса, контактіні жойыңыз
Жіберу уақыты: 16 шілде 2024 ж