3 дюймдік диаметрі 76,2 мм SiC субстраттары HPSI Prime Research және үлгілік сынама

Өткізгіш субстрат: 15 ~ 30 мΩ-см кремний карбидінің субстратының кедергісін білдіреді. Өткізгіш кремний карбидінің субстратынан өсірілген кремний карбидінің эпитаксиалды пластинасын одан әрі жаңа энергия көліктерінде, фотоэлектрлік жүйелерде, ақылды желілерде және теміржол көлігінде кеңінен қолданылатын қуат құрылғыларына айналдыруға болады.

Жартылай оқшаулағыш субстрат дегеніміз - сымсыз байланыс саласының негізі болып табылатын галлий нитриді микротолқынды радиожиілікті құрылғыларды өндіруде қолданылатын 100000 Ом-см-ден жоғары кедергісі бар кремний карбидті субстрат.

Бұл сымсыз байланыс саласындағы негізгі компонент.

Кремний карбидінің өткізгіш және жартылай оқшаулағыш негіздері электрондық құрылғылар мен қуат құрылғыларының кең ауқымында қолданылады, соның ішінде, бірақ онымен шектелмей:

Жоғары қуатты жартылай өткізгіш құрылғылар (өткізгіш): Кремний карбидінің негіздері жоғары ыдырау өрісінің беріктігіне және жылу өткізгіштігіне ие және жоғары қуатты транзисторлар мен диодтарды және басқа құрылғыларды өндіруге жарамды.

Радиожиілікті электронды құрылғылар (жартылай оқшауланған): Кремний карбидінің негіздері жоғары коммутация жылдамдығына және қуатқа төзімділікке ие, радиожиілікті күшейткіштер, микротолқынды құрылғылар және жоғары жиілікті қосқыштар сияқты қолданбаларға жарамды.

Оптоэлектрондық құрылғылар (жартылай оқшауланған): Кремний карбидінің негіздері кең энергия саңылауына және жоғары термиялық тұрақтылыққа ие, фотодиодтарды, күн батареяларын, лазерлік диодтарды және басқа да құрылғыларды жасауға жарамды.

Температура датчиктері (өткізгіш): Кремний карбидінің негіздері жоғары жылу өткізгіштікке және жылу тұрақтылығына ие, жоғары температура датчиктері мен температураны өлшеу құралдарын өндіруге жарамды.

Кремний карбидінің өткізгіш және жартылай оқшаулағыш негіздерін өндіру процесі және қолдануы электронды құрылғылар мен қуат құрылғыларын әзірлеу үшін жаңа мүмкіндіктер беретін кең ауқымды салалар мен әлеуетке ие.