3 дюймдік жоғары таза жартылай оқшаулағыш （HPSI）SiC вафли 350um Жалған сұрыпты Бастапқы сорт

3 дюймдік жоғары таза жартылай оқшаулағыш （HPSI）SiC вафли 350um Жалған сұрыпты Басты деңгей Таңдаулы сурет

Қысқаша сипаттама:

Диаметрі 3 дюйм және қалыңдығы 350 мкм ± 25 мкм HPSI (жоғары таза кремний карбиді) SiC пластинасы ең озық электр электроникасы қолданбаларына арналған. SiC пластиналары жоғары жылу өткізгіштік, жоғары кернеуге төзімділік және минималды энергия жоғалту сияқты ерекше материалдық қасиеттерімен танымал, бұл оларды қуатты жартылай өткізгіш құрылғылар үшін таңдаулы таңдау жасайды. Бұл пластиналар төтенше жағдайларды өңдеуге арналған, жоғары жиілікті, жоғары вольтты және жоғары температуралы орталарда жақсартылған өнімділікті ұсынады, сонымен бірге энергия тиімділігі мен ұзақ мерзімділігін қамтамасыз етеді.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Қолданба

HPSI SiC пластиналары әртүрлі өнімділігі жоғары қолданбаларда қолданылатын келесі буын қуат құрылғыларын қосуда шешуші рөл атқарады:
Қуатты түрлендіру жүйелері: SiC пластиналары электр тізбектерінде қуатты тиімді түрлендіру үшін өте маңызды MOSFET, диодтар және IGBT сияқты қуат құрылғылары үшін негізгі материал ретінде қызмет етеді. Бұл компоненттер жоғары тиімді қуат көздерінде, қозғалтқыш жетектерінде және өнеркәсіптік инверторларда кездеседі.

Электрлік көліктер (ЭВ):Электрлік көліктерге сұраныстың артуы тиімдірек қуат электроникасын пайдалануды қажет етеді және SiC пластиналары осы трансформацияның алдыңғы қатарында. Электр қозғалтқыштарында бұл пластиналар жоғары тиімділік пен жылдам ауысу мүмкіндіктерін қамтамасыз етеді, бұл жылдам зарядтау уақытына, ұзағырақ қашықтыққа және көліктің жалпы өнімділігін арттыруға ықпал етеді.

Жаңартылатын энергия:Күн және жел энергиясы сияқты жаңартылатын энергия жүйелерінде SiC пластиналары энергияны тиімдірек жинауға және таратуға мүмкіндік беретін инверторлар мен түрлендіргіштерде қолданылады. SiC жоғары жылу өткізгіштігі мен жоғары бұзылу кернеуі бұл жүйелердің тіпті төтенше экологиялық жағдайларда да сенімді жұмыс істеуін қамтамасыз етеді.

Өнеркәсіптік автоматтандыру және робототехника:Өнеркәсіптік автоматтандыру жүйелеріндегі және робототехникадағы жоғары өнімді қуат электроникасы жылдам ауысуға, үлкен қуат жүктемелерін өңдеуге және жоғары кернеу жағдайында жұмыс істеуге қабілетті құрылғыларды қажет етеді. SiC негізіндегі жартылай өткізгіштер тіпті қатал жұмыс орталарында жоғары тиімділік пен беріктікті қамтамасыз ету арқылы осы талаптарға жауап береді.

Телекоммуникациялық жүйелер:Жоғары сенімділік пен энергияны тиімді түрлендіру маңызды болып табылатын телекоммуникациялық инфрақұрылымда SiC пластиналары қуат көздерінде және тұрақты ток түрлендіргіштерінде қолданылады. SiC құрылғылары қуат тұтынуды азайтуға және деректер орталықтары мен байланыс желілеріндегі жүйе өнімділігін арттыруға көмектеседі.

Жоғары қуатты қолданбалар үшін берік негіз бере отырып, HPSI SiC пластинасы энергияны үнемдейтін құрылғыларды жасауға мүмкіндік береді, бұл салаларға жасыл, тұрақты шешімдерге көшуге көмектеседі.

Қасиеттер

операция	Өндіріс дәрежесі	Зерттеу дәрежесі	Жалған баға
Диаметрі	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм	75,0 мм ± 0,5 мм
Қалыңдығы	350 мкм ± 25 мкм	350 мкм ± 25 мкм	350 мкм ± 25 мкм
Вафельді бағдарлау	Ось бойынша: <0001> ± 0,5°	Ось бойынша: <0001> ± 2,0°	Ось бойынша: <0001> ± 2,0°
Вафлидің 95% үшін микроқұбырдың тығыздығы (MPD)	≤ 1 см⁻²	≤ 5 см⁻²	≤ 15 см⁻²
Электр кедергісі	≥ 1E7 Ω·см	≥ 1E6 Ω·см	≥ 1E5 Ω·см
Допант	Қоспасыз	Қоспасыз	Қоспасыз
Бастапқы тегіс бағдарлау	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Негізгі жазық ұзындық	32,5 мм ± 3,0 мм	32,5 мм ± 3,0 мм	32,5 мм ± 3,0 мм
Қосымша жазық ұзындық	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм	18,0 мм ± 2,0 мм
Қосымша жазық бағдарлау	Si бетін жоғары қаратып: негізгі пәтерден 90° CW ± 5,0°	Si бетін жоғары қаратып: негізгі пәтерден 90° CW ± 5,0°	Si бетін жоғары қаратып: негізгі пәтерден 90° CW ± 5,0°
Жиектерді алып тастау	3 мм	3 мм	3 мм
LTV/TTV/Садақ/Бүйірлік	3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм	3 мкм / 10 мкм / ±30 мкм / 40 мкм	5 мкм / 15 мкм / ±40 мкм / 45 мкм
Бетінің кедір-бұдырлығы	C-бет: жылтыратылған, Si-бет: CMP	C-бет: жылтыратылған, Si-бет: CMP	C-бет: жылтыратылған, Si-бет: CMP
Жарықтар (жоғары қарқынды жарықпен тексеріледі)	Жоқ	Жоқ	Жоқ
Алты қырлы тақталар (жоғары қарқынды жарықпен тексеріледі)	Жоқ	Жоқ	Жиынтық ауданы 10%
Политипті аймақтар (жоғары қарқынды жарықпен тексеріледі)	Жиынтық ауданы 5%	Жиынтық ауданы 5%	Жиынтық ауданы 10%
Сызаттар (жоғары қарқынды жарықпен тексеріледі)	≤ 5 сызат, жиынтық ұзындығы ≤ 150 мм	≤ 10 сызаттар, жиынтық ұзындығы ≤ 200 мм	≤ 10 сызаттар, жиынтық ұзындығы ≤ 200 мм
Жиектерді чиптеу	Ешқайсысы ≥ 0,5 мм ені мен тереңдігіне рұқсат етілмейді	2 рұқсат етілген, ені мен тереңдігі ≤ 1 мм	5 рұқсат етілген, ≤ 5 мм ені мен тереңдігі
Бетінің ластануы (жоғары қарқынды жарықпен тексеріледі)	Жоқ	Жоқ	Жоқ

Негізгі артықшылықтар

Жоғары жылу өнімділігі: SiC жоғары жылу өткізгіштігі қуат құрылғыларында жылуды тиімді таратуды қамтамасыз етеді, бұл олардың жоғары қуат деңгейлері мен жиіліктерде қызып кетпей жұмыс істеуіне мүмкіндік береді. Бұл кішірек, тиімдірек жүйелер мен ұзақ қызмет ету мерзімін береді.

Жоғары бұзылу кернеуі: кремниймен салыстырғанда кеңірек жолақ аралығымен SiC пластиналары жоғары вольтты қолданбаларды қолдайды, бұл оларды электр көліктерінде, электр желілерінде және жаңартылатын энергия жүйелерінде сияқты жоғары бұзылу кернеулеріне төтеп беруді қажет ететін қуатты электронды компоненттер үшін өте қолайлы етеді.

Қуатты жоғалтуды азайту: SiC құрылғыларының төмен қарсылық және жылдам ауысу жылдамдығы жұмыс кезінде энергия шығынын азайтуға әкеледі. Бұл тиімділікті арттырып қана қоймайды, сонымен қатар олар орналастырылған жүйелердің жалпы энергияны үнемдеуін арттырады.
Қатты ортадағы сенімділік жоғарылатылды: SiC берік материал қасиеттері оны жоғары температура (600°C дейін), жоғары кернеу және жоғары жиіліктер сияқты төтенше жағдайларда орындауға мүмкіндік береді. Бұл SiC пластинкаларын өнеркәсіптік, автомобильдік және энергетикалық қолданбаларға қолайлы етеді.

Энергия тиімділігі: SiC құрылғылары кремний негізіндегі дәстүрлі құрылғыларға қарағанда жоғары қуат тығыздығын ұсынады, бұл қуатты электронды жүйелердің өлшемі мен салмағын азайтады, сонымен бірге олардың жалпы тиімділігін арттырады. Бұл жаңартылатын энергия көздері мен электрлі көліктер сияқты қолданбаларда шығындарды үнемдеуге және қоршаған ортаға тигізетін іздің азаюына әкеледі.

Масштабтау: HPSI SiC пластинаның 3 дюймдік диаметрі және нақты өндірістік төзімділіктері оның ғылыми-зерттеу және коммерциялық өндіріс талаптарына жауап беретін жаппай өндіріс үшін масштабталатынын қамтамасыз етеді.

Қорытынды

3 дюймдік диаметрі және 350 мкм ± 25 мкм қалыңдығы бар HPSI SiC пластинасы өнімділігі жоғары қуатты электронды құрылғылардың келесі буыны үшін оңтайлы материал болып табылады. Оның жылу өткізгіштігінің, жоғары бұзылу кернеуінің, төмен қуат жоғалтуының және төтенше жағдайларда сенімділіктің бірегей үйлесімі оны қуатты түрлендіру, жаңартылатын энергия көздері, электр көліктері, өнеркәсіптік жүйелер және телекоммуникациялардағы әртүрлі қолданбалар үшін маңызды құрамдас етеді.

Бұл SiC пластинасы жоғары тиімділікке, энергияны көбірек үнемдеуге және жүйе сенімділігін арттыруға ұмтылатын салалар үшін әсіресе қолайлы. Қуат электроникасының технологиясы дамып келе жатқандықтан, HPSI SiC пластинасы неғұрлым тұрақты, төмен көміртекті болашаққа көшуді қамтамасыз ететін келесі ұрпақ, энергияны үнемдейтін шешімдерді әзірлеуге негіз береді.