NPSS/FSS AlN үлгісіндегі 50,8 мм/100 мм AlN үлгісі сапфирдегі AlN үлгісі

Қысқаша сипаттама:

AlN-On-Sapphire алюминий нитриді қабықшалары Sapphire субстраттарында өсірілетін материалдардың комбинациясын білдіреді. Бұл құрылымда жоғары сапалы алюминий нитридті пленканы химиялық бу тұндыру (CVD) немесе органометриялық химиялық бу тұндыру (MOCVD) арқылы өсіруге болады, бұл алюминий нитриді пленкасы мен сапфир субстратының жақсы үйлесімі болады. Бұл құрылымның артықшылықтары алюминий нитриді жоғары жылу өткізгіштікке, жоғары химиялық тұрақтылыққа және тамаша оптикалық қасиеттерге ие, ал сапфирлік субстрат тамаша механикалық және жылулық қасиеттерге және мөлдірлікке ие.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

AlN-On-Sapphire

AlN-On-Sapphire әртүрлі фотоэлектрлік құрылғыларды жасау үшін пайдаланылуы мүмкін, мысалы:
1. Жарықдиодты чиптер: Жарықдиодты чиптер әдетте алюминий нитриді пленкаларынан және басқа материалдардан жасалады. Жарықдиодтардың тиімділігі мен тұрақтылығын жарықдиодты чиптердің субстраты ретінде AlN-On-Sapphire пластинкаларын пайдалану арқылы жақсартуға болады.
2. Лазерлер: AlN-On-Sapphire пластинкаларын медицинада, байланыста және материалдарды өңдеуде жиі қолданылатын лазерлерге арналған субстраттар ретінде де пайдалануға болады.
3. Күн батареялары: күн батареяларын өндіру алюминий нитриді сияқты материалдарды пайдалануды талап етеді. AlN-On-Sapphire субстрат ретінде күн батареяларының тиімділігі мен қызмет ету мерзімін жақсарта алады.
4. Басқа оптоэлектрондық құрылғылар: AlN-On-Sapphire пластиналары фотодетекторларды, оптоэлектронды құрылғыларды және басқа оптоэлектрондық құрылғыларды өндіру үшін де пайдаланылуы мүмкін.

Қорытындылай келе, AlN-On-Sapphire пластиналары жоғары жылу өткізгіштікке, жоғары химиялық тұрақтылыққа, аз шығынға және тамаша оптикалық қасиеттерге байланысты оптоэлектрлік өрісте кеңінен қолданылады.

NPSS/FSS жүйесіндегі 50,8 мм/100 мм AlN үлгісі

Элемент	Ескертпелер
Сипаттама	AlN-on-NPSS үлгісі	AlN-on-FSS үлгісі
Вафли диаметрі	50,8 мм, 100 мм
Субстрат	c-жазықтық NPSS	c-жазықтық планарлы сапфир (FSS)
Субстрат қалыңдығы	50,8 мм, 100 ммк-жазықтық Планарлы сапфир (FSS) 100 мм : 650 мм
AIN эпи-қабатының қалыңдығы	3~4 ммм (мақсат: 3,3 ммм)
Өткізгіштік	Оқшаулағыш
Беткей	Өскендей
	RMS<1нм	RMS<2нм
Артқы жағы	Ұнтақталған
FWHM(002)XRC	< 150 доға секунд	< 150 доға секунд
FWHM(102)XRC	< 300 доға секунд	< 300 доға секунд
Жиекті алып тастау	< 2 мм	< 3мм
Бастапқы жазық бағдарлау	a-жазықтық+0,1°
Негізгі жалпақ ұзындық	50,8мм: 16+/-1 мм 100мм: 30+/-1 мм
Пакет	Жеткізу қорабына немесе жалғыз вафельді контейнерге оралған