150мм 6 дюйм 0,7 мм 0,5 мм сапфир пластинасы C-Plane SSP/DSP

150 мм 6 дюйм 0,7 мм 0,5 мм сапфир пластинасы субстрат тасымалдаушысы C-Plane SSP/DSP Таңдаулы кескін

Қысқаша сипаттама:

Жоғарыда айтылғандардың барлығы сапфир кристалдарының дұрыс сипаттамасы. Сапфир кристалының тамаша өнімділігі оны жоғары деңгейлі техникалық салаларда кеңінен қолдануға мүмкіндік береді. Жарықдиодты индустрияның қарқынды дамуымен сапфир кристалдық материалдарға сұраныс та артып келеді.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Қолданбалар

6 дюймдік сапфир вафлилеріне арналған қосымшаларға мыналар кіреді:

1. Жарықдиодты өндіріс: сапфир пластинасын жарықдиодты чиптердің субстраты ретінде пайдалануға болады, ал оның қаттылығы мен жылу өткізгіштігі жарықдиодты чиптердің тұрақтылығы мен қызмет ету мерзімін жақсарта алады.

2. Лазерлік өндіріс: Сапфир пластинасын лазердің өнімділігін жақсартуға және қызмет ету мерзімін ұзартуға көмектесу үшін лазердің субстраты ретінде де пайдалануға болады.

3. Жартылай өткізгішті өндіру: Сапфир пластиналары электронды және оптоэлектрондық құрылғыларды, соның ішінде оптикалық синтезді, күн батареяларын, жоғары жиілікті электронды құрылғыларды және т.б. өндірісінде кеңінен қолданылады.

4. Басқа қолданбалар: Сапфир пластинасын сенсорлық экранды, оптикалық құрылғыларды, жұқа пленкалы күн батареяларын және басқа да жоғары технологиялық өнімдерді өндіру үшін пайдалануға болады.

Техникалық сипаттама

Материал	Жоғары таза кристалды Al2O3, сапфир вафли.
Өлшем	150 мм +/- 0,05 мм, 6 дюйм
Қалыңдығы	1300 +/- 25 мм
Бағдарлау	C жазықтығы (0001) тыс M (1-100) жазықтығы 0,2 +/- 0,05 градус
Бастапқы жазық бағдарлау	Ұшақ +/- 1 градус
Негізгі жалпақ ұзындық	47,5 мм +/- 1 мм
Жалпы қалыңдықтың өзгеруі (TTV)	<20 мм
Садақ	<25 мм
Бұрыш	<25 мм
Жылулық кеңею коэффициенті	C осіне параллель 6,66 x 10-6 / °C, C осіне перпендикуляр 5 x 10-6 / °C
Диэлектрлік күш	4,8 x 105 В/см
Диэлектрик тұрақтысы	C осі бойынша 11,5 (1 МГц), C осіне перпендикуляр 9,3 (1 МГц)
Диэлектрлік шығын тангенсі (диссипациялық фактор)	1 x 10-4 кем
Жылу өткізгіштік	20℃ температурада 40 Вт/(мК).
Жылтырату	бір жақты жылтыратылған (SSP) немесе екі жақты жылтыратылған (DSP) Ra < 0,5 нм (AFM бойынша). SSP пластинаның артқы жағы Ra = 0,8 - 1,2 umм дейін жақсы ұнтақталған.
Өткізгіштік	88% +/-1 % @460 нм