MOS немесе SBD өндірістік зерттеулері және макеттік сынып үшін 6 дюймдік 150 мм кремний карбиді SiC пластиналары 4H-N типті

MOS немесе SBD өндірісін зерттеу және макеттік дәрежеге арналған 6 дюймдік 150 мм кремний карбидті SiC пластиналары 4H-N типті. Ұсынылған сурет

Қысқаша сипаттама:

6 дюймдік кремний карбидінің монокристалды негізі - тамаша физикалық және химиялық қасиеттері бар жоғары өнімді материал. Жоғары тазалықтағы кремний карбидінің монокристалды материалынан жасалған бұл негіз жоғары жылу өткізгіштікке, механикалық тұрақтылыққа және жоғары температураға төзімділікке ие. Дәл өндірістік процестермен және жоғары сапалы материалдармен жасалған бұл негіз әртүрлі салалардағы жоғары тиімді электрондық құрылғыларды жасау үшін таңдаулы материалға айналды.

Бізге электрондық пошта жіберіңіз

Ерекше өзгешеліктері

Қолдану өрістері

6 дюймдік кремний карбидінің монокристалды негізі көптеген салаларда маңызды рөл атқарады. Біріншіден, ол жартылай өткізгіштер өнеркәсібінде қуатты транзисторлар, интегралды схемалар және қуат модульдері сияқты жоғары қуатты электрондық құрылғыларды жасау үшін кеңінен қолданылады. Оның жоғары жылу өткізгіштігі және жоғары температураға төзімділігі жылуды жақсы таратуға мүмкіндік береді, бұл тиімділік пен сенімділікті арттырады. Екіншіден, кремний карбидінің пластиналары жаңа материалдар мен құрылғыларды әзірлеу үшін зерттеу салаларында өте маңызды. Сонымен қатар, кремний карбидінің пластинасы оптоэлектроника саласында, соның ішінде жарықдиодтар мен лазерлік диодтарды өндіруде кеңінен қолданылады.

Өнімнің сипаттамалары

6 дюймдік кремний карбидінің монокристалды негізінің диаметрі 6 дюйм (шамамен 152,4 мм). Бетінің кедір-бұдырлығы Ra < 0,5 нм, ал қалыңдығы 600 ± 25 мкм. Негізді тұтынушының талаптарына сәйкес N типті немесе P типті өткізгіштікпен теңшеуге болады. Сонымен қатар, ол қысым мен дірілге төтеп бере алатын ерекше механикалық тұрақтылыққа ие.

Диаметрі		150±2.0 мм (6 дюйм)
Қалыңдығы		350 мкм±25 мкм
Бағыт		Ось бойынша: <0001>±0,5°		Осьтен шығу: 1120±0,5° бағытында 4,0°
Көптүрлі		4H
Кедергі (Ω·см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015~0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Бастапқы жазық бағдар		{10-10}±5.0°
Бастапқы жазық ұзындық (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Шеткі		Фаша
TTV/Bow /Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM алдыңғы жағы (Si-бет)		Поляк Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
LTV		≤3 мкм (10 мм * 10 мм)	≤5 мкм (10 мм * 10 мм)		≤10 мкм (10 мм * 10 мм)
TTV		≤5 мкм	≤10 мкм		≤15 мкм
Апельсин қабығы/шұңқырлар/жарықтар/ластану/дақтар/жолақтар		Жоқ	Жоқ		Жоқ
шегіністер		Жоқ	Жоқ		Жоқ

6 дюймдік кремний карбидінің монокристалды негізі жартылай өткізгіштерде, ғылыми-зерттеу және оптоэлектроника салаларында кеңінен қолданылатын жоғары өнімді материал болып табылады. Ол тамаша жылу өткізгіштікке, механикалық тұрақтылыққа және жоғары температураға төзімділікке ие, бұл оны жоғары қуатты электрондық құрылғыларды жасауға және жаңа материалдарды зерттеуге жарамды етеді. Біз тұтынушылардың әртүрлі талаптарын қанағаттандыру үшін әртүрлі сипаттамалар мен теңшеу опцияларын ұсынамыз.Кремний карбидті пластиналар туралы қосымша ақпарат алу үшін бізбен хабарласыңыз!