6 дюймдік 150 мм кремний карбидті SiC пластиналары MOS немесе SBD өндірістік зерттеулеріне арналған 4H-N түрі және күңгірт сұрыпты

6 дюймдік 150 мм кремний карбиді SiC пластиналары MOS немесе SBD өндірістік зерттеулеріне арналған 4H-N түрі және күңгірт сұрыпты Таңдаулы кескін

Қысқаша сипаттама:

6 дюймдік кремний карбиді монокристалды субстрат тамаша физикалық және химиялық қасиеттері бар жоғары өнімді материал болып табылады. Жоғары таза кремний карбидті монокристалды материалдан жасалған, ол жоғары жылу өткізгіштік, механикалық тұрақтылық және жоғары температураға төзімділік көрсетеді. Дәл өндірістік процестермен және жоғары сапалы материалдармен жасалған бұл субстрат әртүрлі салаларда жоғары тиімді электронды құрылғыларды жасау үшін таңдаулы материал болды.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Қолданба өрістері

6 дюймдік кремний карбиді монокристалды субстрат көптеген салаларда маңызды рөл атқарады. Біріншіден, ол қуатты транзисторлар, интегралды схемалар және қуат модульдері сияқты жоғары қуатты электронды құрылғыларды жасау үшін жартылай өткізгіш өнеркәсібінде кеңінен қолданылады. Оның жоғары жылу өткізгіштігі мен жоғары температураға төзімділігі жылуды жақсырақ таратуға мүмкіндік береді, нәтижесінде тиімділік пен сенімділік артады. Екіншіден, кремний карбидті пластиналар жаңа материалдар мен құрылғыларды жасау үшін зерттеу салаларында өте маңызды. Сонымен қатар, кремний карбиді пластинасы оптоэлектроника саласында, соның ішінде жарықдиодты шамдар мен лазерлік диодтарды өндіруде кең қолданбаларды табады.

Өнімнің техникалық сипаттамалары

6 дюймдік кремний карбиді монокристалды субстраттың диаметрі 6 дюйм (шамамен 152,4 мм). Бетінің кедір-бұдырлығы Ra < 0,5 нм, ал қалыңдығы 600 ± 25 мкм. Субстратты тұтынушы талаптары негізінде N-типті немесе P-типті өткізгіштікпен теңшеуге болады. Сонымен қатар, ол қысым мен дірілге төтеп бере алатын ерекше механикалық тұрақтылықты көрсетеді.

Диаметрі		150±2,0мм（6дюйм）
Қалыңдығы		350 мкм±25мкм
Бағдарлау		Ось бойынша: <0001>±0,5°		Өшіру осі: 4,0° және 1120±0,5°
Политип		4H
Меншікті кедергі (Ω·см)	4H-N	0,015~0,028 Ом·см/0,015~0,025 Ом·см
	4/6H-SI	>1E5
Бастапқы жазық бағдарлау		{10-10}±5,0°
Негізгі жазық ұзындығы (мм)		47,5 мм±2,5 мм
Жиек		Фака
TTV/Садақ/Ворп (ум)		≤15 /≤40 /≤60
AFM алдыңғы (си-бет)		Поляк Ra≤1 нм
		CMP Ra≤0,5 нм
LTV		≤3мкм(10мм*10мм)	≤5мкм(10мм*10мм)		≤10мкм(10мм*10мм)
TTV		≤5мкм	≤10мкм		≤15мкм
Апельсин қабығы / шұңқырлар / жарықтар / ластанулар / дақтар / жолақтар		Жоқ	Жоқ		Жоқ
шегіністер		Жоқ	Жоқ		Жоқ

6 дюймдік кремний карбиді монокристалды субстрат жартылай өткізгіш, зерттеу және оптоэлектроника салаларында кеңінен қолданылатын жоғары өнімді материал болып табылады. Ол тамаша жылу өткізгіштік, механикалық тұрақтылық және жоғары температураға төзімділікті ұсынады, бұл оны жоғары қуатты электронды құрылғыларды жасауға және жаңа материалды зерттеуге қолайлы етеді. Біз тұтынушылардың әртүрлі талаптарын қанағаттандыру үшін әртүрлі сипаттамалар мен теңшеу опцияларын ұсынамыз.Кремний карбиді пластиналары туралы қосымша ақпарат алу үшін бізге хабарласыңыз!