GaAs лазерлік эпитаксиалды пластинасы 4 дюйм 6 дюймдік VCSEL тік қуысты беттік эмиссиялық лазер толқын ұзындығы 940 нм бір түйін
GaAs лазерлік эпитаксиалды парағының негізгі сипаттамалары мыналарды қамтиды
1. Бір түйінді құрылым: Бұл лазер әдетте тиімді жарық шығаруды қамтамасыз ете алатын жалғыз кванттық ұңғымадан тұрады.
2. Толқын ұзындығы: 940 нм толқын ұзындығы оны әртүрлі қолданбалар үшін қолайлы инфрақызыл спектр диапазонында етеді.
3. Жоғары тиімділік: лазерлердің басқа түрлерімен салыстырғанда, VCSEL жоғары электро-оптикалық түрлендіру тиімділігіне ие.
4. Ықшамдық: VCSEL пакеті салыстырмалы түрде шағын және біріктіру оңай.
5. Төмен шекті ток және жоғары тиімділік: Жерленген гетероструктуралық лазерлер өте төмен шекті ток тығыздығын (мысалы, 4мА/см²) және жоғары сыртқы дифференциалды кванттық тиімділігін (мысалы, 36%) көрсетеді, сызықтық шығыс қуаты 15 мВт-тан асады.
6. Толқын өткізгіш режимінің тұрақтылығы: Жерленген гетероқұрылымдық лазердің сыну көрсеткіші басқарылатын толқын өткізгіш механизмі және тар белсенді жолақ ені (шамамен 2 мкм) арқасында толқын өткізгіш режимінің тұрақтылығының артықшылығы бар.
7. Фотоэлектрлік түрлендірудің тамаша тиімділігі: эпитаксиалды өсу процесін оңтайландыру арқылы ішкі жоғалтуды азайту үшін жоғары ішкі кванттық тиімділікті және фотоэлектрлік түрлендіру тиімділігін алуға болады.
8. Жоғары сенімділік және қызмет ету мерзімі: жоғары сапалы эпитаксиалды өсу технологиясы бетінің жақсы көрінісі және төмен ақау тығыздығы бар эпитаксиалды парақтарды дайындай алады, өнімнің сенімділігі мен қызмет ету мерзімін жақсартады.
9. Әртүрлі қолданбалар үшін қолайлы: GAAS негізіндегі лазерлік диодтың эпитаксиалды парағы оптикалық талшықты байланыста, өнеркәсіптік қолданбаларда, инфрақызыл және фотодетекторларда және басқа салаларда кеңінен қолданылады.
GaAs лазерлік эпитаксиалды парағын қолданудың негізгі әдістеріне жатады
1. Оптикалық байланыс және деректер байланысы: GaAs эпитаксиалды пластиналар оптикалық байланыс саласында, әсіресе лазерлер мен детекторлар сияқты оптоэлектронды құрылғыларды өндіру үшін жоғары жылдамдықты оптикалық байланыс жүйелерінде кеңінен қолданылады.
2. Өнеркәсіптік қолданбалар: GaAs лазерлік эпитаксиалды парақтардың лазерлік өңдеу, өлшеу және сезу сияқты өнеркәсіптік қолданбаларда маңызды пайдаланулары бар.
3. Тұрмыстық электроника: Тұрмыстық электроникада GaAs эпитаксиалды пластиналар смартфондар мен басқа да тұрмыстық электроникада кеңінен қолданылатын VCsel (тік қуысты беттік сәуле шығаратын лазерлер) өндіру үшін қолданылады.
4. Rf қолданбалары: GaAs материалдары РЖ өрісінде маңызды артықшылықтарға ие және өнімділігі жоғары RF құрылғыларын жасау үшін қолданылады.
5. Кванттық нүктелік лазерлер: GAAS негізіндегі кванттық нүктелік лазерлер байланыс, медициналық және әскери салаларда, әсіресе 1,31 мкм оптикалық байланыс жолағында кеңінен қолданылады.
6. Пассивті Q қосқышы: GaAs абсорбері микро өңдеуге, диапазонға және микрохирургияға жарамды пассивті Q қосқышы бар диодпен айдалатын қатты күйдегі лазерлер үшін қолданылады.
Бұл қолданбалар GaAs лазерлік эпитаксиалды пластинкаларының жоғары технологиялық қосымшалардың кең ауқымындағы әлеуетін көрсетеді.
XKH тұтынушылардың талаптарына бейімделген, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G базалық станциялары және т.б. сияқты қолданбалардың кең ауқымын қамтитын әртүрлі құрылымы мен қалыңдығы бар GaAs эпитаксиалды пластиналарды ұсынады. XKH өнімдері жоғары өнімділікті және сенімділік. Логистика тұрғысынан бізде халықаралық бастапқы арналардың кең ауқымы бар, тапсырыстар санын икемді түрде өңдей алады және жұқару, сегменттеу және т.б. сияқты қосымша құнды қызметтерді ұсына алады. Тиімді жеткізу процестері уақытында жеткізуді қамтамасыз етеді және тұтынушылардың талаптарын қанағаттандырады. сапасы мен жеткізу мерзімдері. Келгеннен кейін тұтынушылар өнімнің біркелкі пайдалануға берілуін қамтамасыз ету үшін жан-жақты техникалық қолдау мен сатылымнан кейінгі қызмет ала алады.
Егжей-тегжейлі диаграмма
