GaAs лазерлік эпитаксиалды пластинасы 4 дюймдік 6 дюймдік VCSEL тік қуыс бетінің сәулелену лазерінің толқын ұзындығы 940 нм бір түйіспелі

Қысқаша сипаттама:

Тапсырыс беруші белгілеген дизайндағы Gigabit Ethernet лазерлік массивтері жоғары біркелкілікке арналған 6 дюймдік пластиналар 850/940нм орталық оптикалық толқын ұзындығы оксидпен шектелген немесе протонмен имплантацияланған VCSEL сандық деректер байланысы, лазерлік тышқанның электрлік және оптикалық сипаттамалары температураға төмен сезімталдық. VCSEL-940 бірыңғай түйіні - бұл әдетте шамамен 940 нанометр сәулелену толқын ұзындығы бар тік қуыс бетінің сәулелену лазері (VCSEL). Мұндай лазерлер әдетте бір кванттық шұңқырдан тұрады және тиімді жарық сәулеленуін қамтамасыз ете алады. 940 нанометр толқын ұзындығы оны инфрақызыл спектрде әртүрлі қолданбаларға жарамды етеді. Басқа лазер түрлерімен салыстырғанда, VCsel-лер электрооптикалық түрлендіру тиімділігі жоғары. VCSEL пакеті салыстырмалы түрде кішкентай және біріктіру оңай. VCSEL-940 кеңінен қолданылуы оны заманауи технологияларда маңызды рөл атқарды.

Бізге электрондық пошта жіберіңіз

Ерекше өзгешеліктері

GaAs лазерлік эпитаксиалды парағының негізгі сипаттамаларына мыналар жатады

1. Бір түйіспелі құрылым: Бұл лазер әдетте тиімді жарық сәулеленуін қамтамасыз ете алатын бір кванттық шұңқырдан тұрады.
2. Толқын ұзындығы: 940 нм толқын ұзындығы оны инфрақызыл спектр диапазонында, әртүрлі қолданбаларға жарамды етеді.
3. Жоғары тиімділік: Басқа лазер түрлерімен салыстырғанда, VCSEL жоғары электрооптикалық түрлендіру тиімділігіне ие.
4. Ықшамдылық: VCSEL пакеті салыстырмалы түрде кішкентай және біріктіру оңай.

5. Төмен шекті ток және жоғары тиімділік: Жерленген гетероқұрылымды лазерлер өте төмен лазерлік шекті ток тығыздығын (мысалы, 4 мА/см²) және жоғары сыртқы дифференциалды кванттық тиімділікті (мысалы, 36%) көрсетеді, сызықтық шығыс қуаты 15 мВт-тан асады.
6. Толқын бағыттаушы режимінің тұрақтылығы: Жерленген гетероқұрылымды лазер сыну көрсеткіші бар басқарылатын толқын бағыттаушы механизміне және тар белсенді жолақ еніне (шамамен 2 мкм) байланысты толқын бағыттаушы режимінің тұрақтылығының артықшылығына ие.
7. Фотоэлектрлік түрлендірудің тамаша тиімділігі: Эпитаксиалды өсу процесін оңтайландыру арқылы ішкі шығынды азайту үшін жоғары ішкі кванттық тиімділік пен фотоэлектрлік түрлендіру тиімділігіне қол жеткізуге болады.
8. Жоғары сенімділік және қызмет ету мерзімі: жоғары сапалы эпитаксиалды өсіру технологиясы бетінің жақсы көрінісі мен ақау тығыздығы төмен эпитаксиалды парақтарды дайындай алады, бұл өнімнің сенімділігі мен қызмет ету мерзімін жақсартады.
9. Әртүрлі қолданбаларға жарамды: GAAS негізіндегі лазерлік диодты эпитаксиалды парақ оптикалық талшықты байланыста, өнеркәсіптік қолданбаларда, инфрақызыл және фотодетекторларда және басқа да салаларда кеңінен қолданылады.

GaAs лазерлік эпитаксиалды парағының негізгі қолдану тәсілдеріне мыналар жатады

1. Оптикалық байланыс және деректер алмасу: GaAs эпитаксиалды пластиналары оптикалық байланыс саласында, әсіресе жоғары жылдамдықты оптикалық байланыс жүйелерінде лазерлер мен детекторлар сияқты оптоэлектрондық құрылғыларды өндіру үшін кеңінен қолданылады.

2. Өнеркәсіптік қолданылуы: GaAs лазерлік эпитаксиалды парақтары лазерлік өңдеу, өлшеу және сезу сияқты өнеркәсіптік қолданыстарда да маңызды қолданысқа ие.

3. Тұтынушылық электроника: Тұтынушылық электроникада GaAs эпитаксиалды пластиналары смартфондарда және басқа да тұтынушылық электроникада кеңінен қолданылатын VCsels (тік қуыс бетін сәулелендіретін лазерлер) өндіру үшін қолданылады.

4. Радиожиілікті қолдану: GaAs материалдары радиожиілік саласында айтарлықтай артықшылықтарға ие және жоғары өнімді радиожиілікті құрылғыларды өндіру үшін қолданылады.

5. Кванттық нүктелік лазерлер: GAAS негізіндегі кванттық нүктелік лазерлер байланыс, медициналық және әскери салаларда, әсіресе 1,31 мкм оптикалық байланыс диапазонында кеңінен қолданылады.

6. Пассивті Q қосқышы: GaAs абсорбері микроөңдеу, диафрагмалау және микрохирургия үшін жарамды пассивті Q қосқышы бар диодпен айдалатын қатты күйдегі лазерлер үшін қолданылады.

Бұл қолданбалар GaAs лазерлік эпитаксиалды пластиналарының жоғары технологиялық қолданбалардың кең ауқымындағы әлеуетін көрсетеді.

XKH компаниясы тұтынушылардың талаптарына сәйкес келетін, VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G базалық станциялары және т.б. сияқты кең ауқымды қолданбаларды қамтитын әртүрлі құрылымдар мен қалыңдықтарға ие GaAs эпитаксиалды пластиналарын ұсынады. XKH өнімдері жоғары өнімділік пен сенімділікті қамтамасыз ету үшін озық MOCVD жабдықтарын пайдалану арқылы жасалады. Логистика тұрғысынан бізде халықаралық көз арналарының кең ауқымы бар, тапсырыстар санын икемді түрде өңдей аламыз және жұқару, сегменттеу және т.б. сияқты қосымша құнды қызметтерді ұсынамыз. Тиімді жеткізу процестері уақытында жеткізуді қамтамасыз етеді және тұтынушылардың сапа мен жеткізу уақытына қойылатын талаптарын қанағаттандырады. Келгеннен кейін тұтынушылар өнімнің кедергісіз пайдаланылуын қамтамасыз ету үшін кешенді техникалық қолдау және сатудан кейінгі қызмет ала алады.