Галий нитриді (GaN) MEMS үшін 4 дюймдік 6 дюймдік сапфир вафлиінде өсірілген эпитаксиалды
Сапфир вафлилеріндегі GaN қасиеттері
●Жоғары тиімділік:GaN негізіндегі құрылғылар кремний негізіндегі құрылғыларға қарағанда бес есе көп қуат береді, бұл әртүрлі электрондық қолданбаларда, соның ішінде РЖ күшейту мен оптоэлектроникадағы өнімділікті арттырады.
●Кең диапазон:GaN диапазонының кең диапазоны жоғары температурада жоғары тиімділікті қамтамасыз етеді, бұл оны жоғары қуатты және жоғары жиілікті қолданбалар үшін тамаша етеді.
●Төзімділік:GaN экстремалды жағдайларды (жоғары температура мен радиация) өңдеу қабілеті қатал ортада ұзақ жұмыс істеуді қамтамасыз етеді.
●Шағын өлшем:GaN дәстүрлі жартылай өткізгіш материалдармен салыстырғанда ықшам және жеңіл құрылғыларды өндіруге мүмкіндік береді, бұл кішірек және қуатты электрониканы жеңілдетеді.
Аннотация
Галлий нитриді (GaN) жоғары қуат пен тиімділікті қажет ететін алдыңғы қатарлы қосымшалар үшін таңдаулы жартылай өткізгіш ретінде пайда болады, мысалы, РЖ алдыңғы модульдері, жоғары жылдамдықты байланыс жүйелері және жарықдиодты жарықтандыру. GaN эпитаксиалды пластиналар сапфирді субстраттарда өсірілген кезде сымсыз байланыс құрылғыларында, радарларда және кептелістерде оңтайлы өнімділік үшін кілт болып табылатын жоғары жылу өткізгіштік, жоғары бұзылу кернеуі және кең жиілік реакциясының комбинациясын ұсынады. Бұл пластиналар әртүрлі техникалық талаптарды қанағаттандыру үшін әртүрлі GaN қалыңдығы бар 4 дюймдік және 6 дюймдік диаметрлерде қол жетімді. GaN бірегей қасиеттері оны қуат электроникасының болашағы үшін басты үміткер етеді.
Өнім параметрлері
| Өнім ерекшелігі | Техникалық сипаттама |
| Вафельдің диаметрі | 50мм, 100мм, 50,8мм |
| Субстрат | Сапфир |
| GaN қабатының қалыңдығы | 0,5 мкм - 10 мкм |
| GaN түрі/допинг | N-түрі (P-түрі сұраныс бойынша қол жетімді) |
| GaN Crystal Orientation | <0001> |
| Жылтырату түрі | Бір жақты жылтыратылған (SSP), екі жақты жылтыратылған (DSP) |
| Al2O3 қалыңдығы | 430 мкм - 650 мкм |
| TTV (жалпы қалыңдықтың өзгеруі) | ≤ 10 мкм |
| Садақ | ≤ 10 мкм |
| Соғыс | ≤ 10 мкм |
| Жер беті | Қолданылатын бетінің ауданы > 90% |
Сұрақ-жауап
1-сұрақ: Кремний негізіндегі жартылай өткізгіштерге қарағанда GaN пайдаланудың негізгі артықшылықтары қандай?
A1: GaN кремнийге қарағанда бірнеше маңызды артықшылықтарды ұсынады, соның ішінде кеңірек жолақ аралығы, ол жоғары бұзылу кернеулерін өңдеуге және жоғары температурада тиімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Бұл GaN-ті RF модульдері, қуат күшейткіштері және жарық диодтары сияқты жоғары қуатты, жоғары жиілікті қолданбалар үшін тамаша етеді. GaN-тің жоғары қуат тығыздығын өңдеу қабілеті кремний негізіндегі баламалармен салыстырғанда кішірек және тиімдірек құрылғыларды пайдалануға мүмкіндік береді.
2-сұрақ: Сапфир пластиналарындағы GaN MEMS (микро-электро-механикалық жүйелер) қолданбаларында қолданылуы мүмкін бе?
A2: Иә, Sapphire пластиналарындағы GaN MEMS қолданбалары үшін қолайлы, әсіресе жоғары қуат, температура тұрақтылығы және төмен шу қажет болған жағдайда. Материалдың жоғары жиілікті орталардағы беріктігі мен тиімділігі оны сымсыз байланыс, зондтау және радар жүйелерінде қолданылатын MEMS құрылғылары үшін өте қолайлы етеді.
3-сұрақ: Сымсыз байланыста GaN әлеуетті қолданбалары қандай?
A3: GaN 5G инфрақұрылымын, радар жүйелерін және кептелісті қоса алғанда, сымсыз байланысқа арналған РЖ алдыңғы модульдерінде кеңінен қолданылады. Оның жоғары қуат тығыздығы және жылу өткізгіштігі оны жоғары қуатты, жоғары жиілікті құрылғылар үшін тамаша етеді, бұл кремний негізіндегі шешімдермен салыстырғанда жақсы өнімділікке және кішірек форма факторларына мүмкіндік береді.
4-сұрақ: Sapphire вафлилеріндегі GaN үшін жеткізу уақыты мен ең аз тапсырыс мөлшері қандай?
A4: Жеткізу уақыттары мен ең аз тапсырыс мөлшері пластинаның өлшеміне, GaN қалыңдығына және тұтынушының арнайы талаптарына байланысты өзгереді. Егжей-тегжейлі баға белгілеу және техникалық сипаттамаларға негізделген қолжетімділік үшін тікелей бізге хабарласыңыз.
5-сұрақ: Мен реттелетін GaN қабатының қалыңдығын немесе допинг деңгейлерін ала аламын ба?
A5: Иә, біз арнайы қолданба қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін GaN қалыңдығы мен допинг деңгейлерін теңшеуді ұсынамыз. Бізге қажетті техникалық сипаттамаларыңызды хабарлаңыз, біз арнайы шешімді ұсынамыз.
Егжей-тегжейлі диаграмма
