MEMS үшін 4 дюймдік 6 дюймдік сапфир пластиналарында өсірілген галлий нитриді (GaN) эпитаксиалды
Сапфир пластиналарындағы GaN қасиеттері
●Жоғары тиімділік:GaN негізіндегі құрылғылар кремний негізіндегі құрылғыларға қарағанда бес есе көп қуат береді, бұл радиожиілікті күшейту және оптоэлектроника сияқты әртүрлі электрондық қолданбаларда өнімділікті арттырады.
●Кең жолақ аралығы:GaN кең өткізу жолағы жоғары температурада жоғары тиімділікті қамтамасыз етеді, бұл оны жоғары қуатты және жоғары жиілікті қолданбалар үшін өте қолайлы етеді.
●Беріктігі:GaN-ның экстремалды жағдайларға (жоғары температура және радиация) төтеп беру қабілеті қатал ортада ұзақ мерзімді жұмыс істеуді қамтамасыз етеді.
●Кішкентай өлшем:GaN дәстүрлі жартылай өткізгіш материалдармен салыстырғанда ықшам және жеңіл құрылғыларды шығаруға мүмкіндік береді, бұл кішірек және қуатты электрониканы жеңілдетеді.
Абстракт
Галлий нитриді (GaN) жоғары қуат пен тиімділікті қажет ететін озық қолданбалар үшін, мысалы, РФ алдыңғы модульдері, жоғары жылдамдықты байланыс жүйелері және LED жарықтандыру үшін таңдаулы жартылай өткізгіш ретінде пайда болуда. GaN эпитаксиалды пластиналары сапфир негіздерінде өсірілген кезде жоғары жылу өткізгіштіктің, жоғары тесілу кернеуінің және кең жиілікті реакцияның үйлесімін ұсынады, бұл сымсыз байланыс құрылғыларында, радарларда және кедергілерді басу құрылғыларында оңтайлы өнімділік үшін маңызды. Бұл пластиналар әртүрлі техникалық талаптарға сай келетін әртүрлі GaN қалыңдықтарымен 4 дюймдік және 6 дюймдік диаметрлерде қолжетімді. GaN-ның бірегей қасиеттері оны энергетикалық электрониканың болашағы үшін басты үміткер етеді.
Өнім параметрлері
| Өнімнің ерекшелігі | Техникалық сипаттама |
| Вафли диаметрі | 50 мм, 100 мм, 50,8 мм |
| Субстрат | Сапфир |
| GaN қабатының қалыңдығы | 0,5 мкм - 10 мкм |
| GaN түрі/допинг | N-типті (P-типті сұраныс бойынша қолжетімді) |
| GaN кристалының бағыты | <0001> |
| Жылтырату түрі | Бір жақты жылтыратылған (SSP), екі жақты жылтыратылған (DSP) |
| Al2O3 қалыңдығы | 430 мкм - 650 мкм |
| TTV (жалпы қалыңдықтың өзгеруі) | ≤ 10 мкм |
| Садақ | ≤ 10 мкм |
| Верб | ≤ 10 мкм |
| Беткі ауданы | Пайдаланылатын бетінің ауданы > 90% |
Сұрақ-жауап
1-сұрақ: GaN-ды дәстүрлі кремний негізіндегі жартылай өткізгіштермен салыстырғанда қолданудың негізгі артықшылықтары қандай?
A1GaN кремнийге қарағанда бірнеше маңызды артықшылықтарды ұсынады, соның ішінде кеңірек жолақ аралығы, бұл оған жоғары тесілу кернеулерін өңдеуге және жоғары температурада тиімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді. Бұл GaN-ды радиожиілікті модульдер, қуат күшейткіштері және жарықдиодты шамдар сияқты жоғары қуатты, жоғары жиілікті қолданбалар үшін өте қолайлы етеді. GaN-ның жоғары қуат тығыздығын өңдеу мүмкіндігі кремний негізіндегі баламалармен салыстырғанда кішірек және тиімдірек құрылғыларды пайдалануға мүмкіндік береді.
2-сұрақ: Сапфир пластиналарындағы GaN MEMS (микроэлектромеханикалық жүйелер) қолданбаларында қолданыла ала ма?
A2Иә, Sapphire пластиналарындағы GaN MEMS қолданбаларына, әсіресе жоғары қуат, температура тұрақтылығы және төмен шу қажет жерлерде қолдануға жарамды. Материалдың жоғары жиілікті ортадағы беріктігі мен тиімділігі оны сымсыз байланыс, сенсорлық және радарлық жүйелерде қолданылатын MEMS құрылғылары үшін өте қолайлы етеді.
3-сұрақ: GaN сымсыз байланыста қандай қолданылуы мүмкін?
A3GaN сымсыз байланыс үшін RF алдыңғы модульдерінде, соның ішінде 5G инфрақұрылымында, радар жүйелерінде және кедергілерді болдырмайтын құрылғыларда кеңінен қолданылады. Оның жоғары қуат тығыздығы мен жылу өткізгіштігі оны жоғары қуатты, жоғары жиілікті құрылғылар үшін өте қолайлы етеді, бұл кремний негізіндегі ерітінділермен салыстырғанда жақсы өнімділікке және кішірек форма факторларына мүмкіндік береді.
4-сұрақ: Sapphire пластиналарына арналған GaN жеткізу мерзімі және ең аз тапсырыс көлемі қандай?
A4Жеткізу мерзімі және ең аз тапсырыс көлемі пластина өлшеміне, GaN қалыңдығына және тұтынушының нақты талаптарына байланысты өзгереді. Сіздің сипаттамаларыңызға негізделген толық баға мен қолжетімділікті білу үшін бізбен тікелей хабарласыңыз.
5-сұрақ: GaN қабатының қалыңдығын немесе легирлеу деңгейлерін арнайы тапсырыс бойынша ала аламын ба?
A5Иә, біз нақты қолдану қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін GaN қалыңдығын және қоспа деңгейлерін теңшеуді ұсынамыз. Қалаған сипаттамаларыңызды бізге хабарлаңыз, біз сізге жеке шешім ұсынамыз.
Егжей-тегжейлі диаграмма
