Кремний 8-дюймдік және 6-дюймдік SOI (Силикон-Оқшаулағыш) пластиналарындағы SOI вафли изоляторы

Кремний 8 дюймдік және 6 дюймдік SOI (Оқшаулағыштағы кремний) пластиналарындағы SOI вафли изоляторы Таңдаулы сурет

Қысқаша сипаттама:

Үш түрлі қабаттан тұратын кремнийлі изолятор (SOI) пластинасы микроэлектроника және радиожиілік (РЖ) қолданбалары саласында ірге тасы ретінде пайда болады. Бұл реферат осы инновациялық субстраттың негізгі сипаттамалары мен әртүрлі қолданбаларын түсіндіреді.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Вафельді қораппен таныстыру

Үстіңгі кремний қабаты, оқшаулағыш оксид қабаты және төменгі кремний субстратынан тұратын үш қабатты SOI пластинасы микроэлектроника мен РЖ домендерінде теңдесі жоқ артықшылықтарды ұсынады. Жоғары сапалы кристалды кремнийі бар жоғарғы кремний қабаты күрделі электронды компоненттерді дәлдікпен және тиімділікпен біріктіруді жеңілдетеді. Паразиттік сыйымдылықты азайту үшін мұқият құрастырылған оқшаулағыш оксид қабаты қажетсіз электрлік кедергілерді азайту арқылы құрылғының жұмысын жақсартады. Төменгі кремний субстраты механикалық қолдауды қамтамасыз етеді және қолданыстағы кремний өңдеу технологияларымен үйлесімділікті қамтамасыз етеді.

Микроэлектроникада SOI пластинасы жоғары жылдамдықпен, қуат тиімділігімен және сенімділігімен жетілдірілген интегралдық схемаларды (IC) жасау үшін негіз ретінде қызмет етеді. Оның үш қабатты архитектурасы CMOS (қосымша металл оксиді-жартылай өткізгіш) IC, MEMS (микро-электро-механикалық жүйелер) және қуат құрылғылары сияқты күрделі жартылай өткізгіш құрылғыларды жасауға мүмкіндік береді.

РЖ доменінде SOI вафли РЖ құрылғылары мен жүйелерін жобалау мен енгізуде керемет өнімділікті көрсетеді. Оның төмен паразиттік сыйымдылығы, жоғары бұзылу кернеуі және тамаша оқшаулау қасиеттері оны РЖ қосқыштары, күшейткіштер, сүзгілер және басқа РЖ компоненттері үшін тамаша субстрат етеді. Сонымен қатар, SOI пластинкасының тән радиацияға төзімділігі оны қатал ортадағы сенімділік маңызды болып табылатын аэроғарыштық және қорғаныстық қолданбаларға жарамды етеді.

Сонымен қатар, SOI пластинкасының әмбебаптығы фотонды интегралды схемалар (PICs) сияқты дамып келе жатқан технологияларға таралады, мұнда оптикалық және электронды компоненттердің бір субстратқа интеграциясы келесі буын телекоммуникациялар мен деректер байланысы жүйелеріне үміт береді.

Қорытындылай келе, үш қабатты кремнийлі изолятор (SOI) пластинасы микроэлектроника және радиожиілік қолданбалардағы инновациялардың алдыңғы қатарында тұр. Оның бірегей архитектурасы мен ерекше өнімділік сипаттамалары әртүрлі салалардағы жетістіктерге жол ашады, прогреске жетелейді және технологияның болашағын қалыптастырады.