6 дюймдік HPSI SiC субстраты вафли кремний карбиді жартылай қорлайтын SiC пластиналары

SiC монокристалының қазіргі өсу әдістеріне негізінен келесі үш әдіс кіреді: сұйық фазалық әдіс, жоғары температуралы химиялық бу тұндыру әдісі және будың физикалық фазалық тасымалдау (PVT) әдісі.Олардың ішінде PVT әдісі SiC монокристалын өсірудің ең зерттелген және жетілген технологиясы болып табылады және оның техникалық қиындықтары:

(1) SiC монокристалы жабық графит камерасының үстінде 2300 ° C жоғары температурада «қатты - газ - қатты» қайта кристалдану процесін аяқтау үшін, өсу циклі ұзақ, бақылау қиын және микротүтікшелерге, қосындыларға және басқа ақаулар.

(2) Кремний карбиді монокристалы, оның ішінде 200-ден астам әртүрлі кристалдық типтер, бірақ жалпы бір ғана кристалдық типті өндіру, өсу процесінде кристалдық түрді өзгерту оңай, бұл көп типті қосындылардың ақауларына әкеледі, бір кристалды дайындау процесі спецификалық кристалдық түрі процестің тұрақтылығын бақылау қиын, мысалы, 4H-түрінің ағымдағы негізгі ағыны.

(3) Кремний карбиді монокристалды өсу термиялық өрісінде температура градиенті болады, нәтижесінде кристалдық өсу процесінде ішкі кернеу пайда болады және нәтижесінде дислокациялар, ақаулар және басқа ақаулар туындайды.

(4) Кремний карбиді монокристалды өсу процесі өте жоғары тазалықтағы жартылай оқшаулағыш кристалды немесе бағытталған легирленген өткізгіш кристалды алу үшін сыртқы қоспалардың енгізілуін қатаң бақылауы керек.РЖ құрылғыларында қолданылатын жартылай оқшаулағыш кремний карбиді субстраттары үшін электрлік қасиеттерге кристалдағы қоспалардың өте төмен концентрациясын және нүктелік ақаулардың ерекше түрлерін бақылау арқылы қол жеткізу қажет.