Sic оптикалық линзасы 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Теңшелген өлшем

Қысқаша сипаттама:

SiC оптикалық линзасы кремний карбиді (SiC) материалына негізделген, толықтай реттелетін өлшемдері мен геометриялары бар жоғары сапалы оптикалық компонентті білдіреді. SiC-тің кең беріліс терезелерін, жоғары сыну көрсеткішін және күшті сызықтық емес оптикалық коэффициенттерін қоса алғанда, жоғары оптикалық қасиеттерін пайдалана отырып, бұл линзалар фотоника, кванттық ақпараттық жүйелер және интеграцияланған фотоника салаларында кеңінен қолданылады.
ZMSH әртүрлі оптикалық жүйе талаптарын қанағаттандыру үшін реттелетін өлшемдері мен геометриялары бар жоғары өнімді SiC оптикалық линзаларын (кремний карбидті оптикалық линзалар) ұсынады. Жоғары тазалықтағы кремний карбидті материалдардан жасалған бұл линзалар ерекше термиялық тұрақтылықты, механикалық беріктік пен оптикалық өнімділікті көрсетеді, бұл оларды жоғары қуатты лазерлер, аэроғарыштық жүйелер және инфрақызыл оптика сияқты озық қолданбалар үшін өте қолайлы етеді.
Жоғары температураға төзімділігі, сәулелену қаттылығы және ерекше механикалық беріктігінің арқасында SiC оптикалық линзалары аэроғарыштық жүйелерде, LiDAR технологияларында және ультракүлгін оптикалық жүйелерде кеңінен қолданылады. Олардың материалдық қасиеттерінің бірегей үйлесімі жоғары оптикалық өнімділікті сақтай отырып, экстремалды ортада сенімді жұмыс істеуге мүмкіндік береді.

Бізге электрондық пошта жіберіңіз

Ерекше өзгешеліктері

Негізгі сипаттамалары

Химиялық құрамы	Al2O3
Қаттылық	9Mohs
Оптикалық табиғат	Бір осьті
Сыну көрсеткіші	1.762-1.770
Қос сыну	0,008-0,010
Дисперсия	Төмен, 0,018
Жылтырлық	Шыны тәрізді
Плеохроизм	Орташадан күштіге дейін
Диаметрі	0,4 мм-30 мм
Диаметрге төзімділік	0,004 мм-0,05 мм
ұзындық	2 мм-150 мм
ұзындыққа төзімділік	0,03 мм-0,25 мм
Беткі сапасы	40/20
Бетінің дөңгелектігі	RZ0.05
Арнайы пішін	екі ұшы жалпақ, бір ұшы редиус, екі ұшы редиус, ер-тоқым түйреуіштері және арнайы пішіндер

Негізгі мүмкіндіктер

1. Жоғары сыну көрсеткіші және кең беріліс терезесі: SiC оптикалық линзалары жұмыс спектрінде шамамен 2,6-2,7 сыну көрсеткішімен ерекше оптикалық өнімділікті көрсетеді. Бұл кең беріліс терезесі (600-1850 нм) көрінетін және жақын инфрақызыл аймақтарды қамтиды, бұл оларды көп спектрлі бейнелеу жүйелері мен кеңжолақты оптикалық қолданбалар үшін ерекше құнды етеді. Материалдың осы диапазондардағы төмен жұтылу коэффициенті тіпті жоғары қуатты лазерлік қолданбаларда да сигналдың минималды әлсіреуін қамтамасыз етеді.

2. Ерекше сызықтық емес оптикалық қасиеттер: Кремний карбидінің бірегей кристалдық құрылымы оған ерекше сызықтық емес оптикалық коэффициенттерді (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 м2/V2) береді, бұл тиімді жиілік түрлендіру процестерін жүргізуге мүмкіндік береді. Бұл қасиеттер оптикалық параметрлік осцилляторлар, аса жылдам лазерлік жүйелер және толығымен оптикалық сигналды өңдеу құрылғылары сияқты заманауи қолданбаларда белсенді түрде пайдаланылуда. Материалдың жоғары зақымдану шегі (>5 ГВт/см2) оның жоғары қарқынды қолданбаларға жарамдылығын одан әрі арттырады.

3. Механикалық және термиялық тұрақтылық: Серпімділік модулі 400 ГПа-ға жақындағанда және жылу өткізгіштігі 300 Вт/м·К-ден асқанда, SiC оптикалық компоненттері механикалық кернеу мен жылу циклі кезінде ерекше тұрақтылықты сақтайды. Жылулық кеңеюдің өте төмен коэффициенті (4,0 × 10-6/К) температураның өзгеруімен фокустық ығысуды минималды түрде қамтамасыз етеді, бұл ғарыштық қолданбалар немесе өнеркәсіптік лазерлік өңдеу жабдықтары сияқты ауытқып тұратын жылулық орталарда жұмыс істейтін дәл оптикалық жүйелер үшін маңызды артықшылық болып табылады.

4. Кванттық қасиеттер: 4H-SiC және 6H-SiC политиптеріндегі кремний вакансиясы (VSi) және диваканс (VSiVC) түс орталықтары бөлме температурасында ұзақ когеренттік уақытпен оптикалық адрестелетін спин күйлерін көрсетеді. Бұл кванттық эмиттерлер масштабталатын кванттық желілерге интеграциялануда және фотондық кванттық есептеу архитектураларында бөлме температурасындағы кванттық сенсорлар мен кванттық жад құрылғыларын әзірлеу үшін әсіресе перспективалы болып табылады.

5. CMOS үйлесімділігі: SiC стандартты жартылай өткізгіш өндіріс процестерімен үйлесімділігі кремний фотоника платформаларымен тікелей монолитті интеграцияны қамтамасыз етеді. Бұл SiC оптикалық артықшылықтарын кремнийдің электрондық функционалдығымен біріктіретін гибридті фотондық-электрондық жүйелерді жасауға мүмкіндік береді, бұл оптикалық есептеу және сенсорлық қолданбаларда чиптегі жүйені жобалау үшін жаңа мүмкіндіктер ашады.

Негізгі қолданбалар

1. Фотондық интегралдық схемалар (ФИК): Келесі буын ФИК-терінде SiC оптикалық линзалары бұрын-соңды болмаған интеграция тығыздығы мен өнімділігін қамтамасыз етеді. Олар, әсіресе, деректер орталықтарындағы терабит масштабындағы оптикалық өзара байланыстар үшін құнды, мұнда олардың жоғары сыну көрсеткіші мен төмен шығыны сигналдың айтарлықтай нашарлауынсыз тығыз иілу радиустарын қамтамасыз етеді. Соңғы жетістіктер олардың жасанды интеллект қолданбалары үшін нейроморфтық фотондық схемаларда қолданылуын көрсетті, мұнда сызықтық емес оптикалық қасиеттер толығымен оптикалық нейрондық желіні енгізуге мүмкіндік береді.

2. Кванттық ақпарат және есептеу: Түс орталығын қолданудан басқа, SiC линзалары кванттық байланыс жүйелерінде поляризация күйлерін сақтау қабілеті және бір фотонды көздермен үйлесімділігі үшін қолданылады. Материалдың жоғары екінші ретті сызықтық еместігі әртүрлі толқын ұзындықтарында жұмыс істейтін әртүрлі кванттық жүйелерді қосу үшін маңызды болып табылатын кванттық жиілікті түрлендіру интерфейстері үшін пайдаланылуда.

3. Әуе және қорғаныс: SiC радиациялық қаттылығы (>1 МГц дозаға төтеп бере алады) оны ғарыштық оптикалық жүйелер үшін таптырмас етеді. Жақында енгізілген жобаларға спутниктік навигацияға арналған жұлдызды трекерлер және спутникаралық байланыстарға арналған оптикалық байланыс терминалдары кіреді. Қорғаныс қолданбаларында SiC линзалары бағытталған энергия қолданбалары үшін жаңа буын ықшам, жоғары қуатты лазерлік жүйелерді және жақсартылған диапазон ажыратымдылығы бар озық LiDAR жүйелерін пайдалануға мүмкіндік береді.

4. Ультракүлгін оптикалық жүйелер: SiC-тің ультракүлгін спектрдегі (әсіресе 300 нм-нен төмен) өнімділігі күн сәулесінің әсеріне төзімділігімен бірге оны ультракүлгін литография жүйелері, озонды бақылау құралдары және астрофизикалық бақылау жабдықтары үшін таңдаулы материал етеді. Материалдың жоғары жылу өткізгіштігі, әсіресе, термиялық линзалау әсерлері дәстүрлі оптиканы нашарлататын жоғары қуатты ультракүлгін қолдану үшін пайдалы.

5. Интеграцияланған фотондық құрылғылар: Дәстүрлі толқын өткізгіш қолданбаларынан басқа, SiC магнито-оптикалық эффектілерге негізделген оптикалық оқшаулағыштарды, жиілік тарақтарын генерациялауға арналған ультра жоғары Q микрорезонаторларын және өткізу қабілеттілігі 100 ГГц-тен асатын электро-оптикалық модуляторларды қоса алғанда, интеграцияланған фотондық құрылғылардың жаңа кластарын іске қосуда. Бұл жетістіктер оптикалық сигналды өңдеу және микротолқынды фотондық жүйелердегі инновацияларды алға жылжытуда.

XKH қызметі

XKH өнімдері спектроскопиялық талдау, лазерлік жүйелер, микроскоптар және астрономия сияқты жоғары технологиялық салаларда кеңінен қолданылады, бұл оптикалық жүйелердің өнімділігі мен сенімділігін тиімді түрде арттырады. Сонымен қатар, XKH тұтынушылардың өнімдерін тез тексеріп, жаппай өндіруін қамтамасыз ету үшін кешенді жобалау қолдауын, инженерлік қызметтерді және жылдам прототиптеуді ұсынады.

Біздің SiC оптикалық призмаларымызды таңдай отырып, сіз келесі артықшылықтарға ие боласыз:

1. Керемет өнімділік: SiC материалдары жоғары қаттылық пен термиялық төзімділікті ұсынады, тіпті төтенше жағдайларда да тұрақты өнімділікті қамтамасыз етеді.
2. Жекелендірілген қызметтер: Біз тапсырыс берушінің талаптарына негізделген жобалаудан бастап өндіріске дейін толық процесті қолдау көрсетеміз.
3. Тиімді жеткізу: Жетілдірілген процестер мен бай тәжірибенің арқасында біз тұтынушылардың қажеттіліктеріне тез жауап бере аламыз және уақытында жеткізе аламыз.