50,8 мм 2 дюйм GaN сапфир эпи-қабатты вафли

50,8 мм 2 дюймдік GaN сапфир эпи-қабатты вафлидегі Таңдаулы сурет

Қысқаша сипаттама:

Үшінші буын жартылай өткізгіш материал ретінде галлий нитриді жоғары температураға төзімділік, жоғары үйлесімділік, жоғары жылу өткізгіштік және кең жолақ саңылауының артықшылықтарына ие.Әртүрлі субстрат материалдарына сәйкес галлий нитриді эпитаксистік парақтарын төрт санатқа бөлуге болады: галлий нитриді негізіндегі галлий нитриді, кремний карбиді негізіндегі галий нитриді, сапфир негізіндегі галий нитриді және кремний негізіндегі галлий нитриді.Кремний негізіндегі галлий нитридінің эпитаксиалды парағы өндірістің төмен құнымен және жетілген өндіріс технологиясымен ең көп қолданылатын өнім болып табылады.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Галлий нитриді GaN эпитаксиалды парағын қолдану

Галлий нитридінің өнімділігіне негізделген галлий нитриді эпитаксиалды чиптері негізінен жоғары қуатты, жоғары жиілікті және төмен кернеуді қолдану үшін жарамды.

Ол көрсетіледі:

1) Жоғары жолақ аралық: Жоғары жолақ аралық галлий нитриді құрылғыларының кернеу деңгейін жақсартады және 5G байланыс базалық станциялары, әскери радарлар және басқа өрістер үшін әсіресе қолайлы галлий арсениді құрылғыларға қарағанда жоғары қуатты шығара алады;

2) Жоғары түрлендіру тиімділігі: галлий нитридінің коммутациялық қуатты электронды құрылғыларының қосу кедергісі кремний құрылғыларына қарағанда 3 рет төмен, бұл қосу жоғалуын айтарлықтай азайтады;

3) Жоғары жылу өткізгіштік: галлий нитридінің жоғары жылу өткізгіштігі оны жоғары қуатты, жоғары температуралы және құрылғылардың басқа салаларында өндіруге жарамды тамаша жылуды тарату өнімділігіне ие етеді;

4) Бұзылу электр өрісінің кернеулігі: Галлий нитридінің бұзылу электр өрісінің кернеулігі кремний нитридінің кернеуіне жақын болғанымен, жартылай өткізгіш процеске, материал торының сәйкессіздігіне және басқа факторларға байланысты галлий нитриді құрылғыларының кернеуге төзімділігі әдетте шамамен 1000 В, ал қауіпсіз пайдалану кернеуі әдетте 650 В төмен.

Элемент	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Өлшемдері	e 50,8 мм ± 0,1 мм
Қалыңдық	4,5±0,5 мм		4,5±0,5 мм
Бағдарлау	C-жазықтығы(0001) ±0,5°
Өткізгіштік түрі	N-түрі (қосылмаған)	N-түрі (Si-қоспаланған)	P-түрі (Mg-қоспаланған)
Меншікті кедергі (3O0K)	< 0,5 Q・см	< 0,05 Q・см	~ 10 Q・см
Тасымалдаушы концентрациясы	< 5x10¹⁷см^-3	> 1x10¹⁸см^-3	> 6x1016 см^-3
Ұтқырлық	~ 300 см²/Вс	~ 200 см²/Вс	~ 10 см²/Вс
Дислокация тығыздығы	5x10-нан аз⁸см^-2(XRD FWHM арқылы есептелген)
Субстрат құрылымы	GaN on Sapphire (Стандарт: SSP опциясы: DSP)
Қолданылатын беттік аумақ	> 90%
Пакет	100-сыныптағы таза бөлме ортасында, 25 данадан тұратын кассеталарда немесе бір вафельді контейнерлерде, азот атмосферасында оралған.