Кремний диоксиді пластинасы SiO2 қалың жылтыратылған, қарапайым және сынақ дәрежесі

Қалың кремний диоксиді пластинасы SiO2 пластинасы жылтыратылған, бастапқы және сынақ дәрежесі бойынша таңдаулы кескін

Қысқаша сипаттама:

Термиялық тотығу кремний диоксиді (SiO2) қабатын жасау үшін тотықтырғыш агенттер мен жылу комбинациясына кремний пластинасын әсер етудің нәтижесі болып табылады. Біздің компания клиенттер үшін әртүрлі параметрлері бар кремний диоксиді оксиді үлпектерін теңшей алады, тамаша сапасы;оксид қабатының қалыңдығы, жинақылығы, біркелкілігі және кристалдық кедергісі ұлттық стандарттарға сәйкес жүзеге асырылады.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Вафельді қораппен таныстыру

Өнім	Термиялық оксид (Si+SiO2) пластиналары
Өндіріс әдісі	LPCVD
Бетті жылтырату	SSP/DSP
Диаметрі	2 дюйм / 3 дюйм / 4 дюйм / 5 дюйм/ 6 дюйм
Түр	P түрі / N түрі
Тотығу қабатының қалыңдығы	100нм ~1000нм
Бағдарлау	<100> <111>
Электр кедергісі	0,001-25000(Ом•см)
Қолдану	Синхротрондық сәулелену үлгісін тасымалдаушы, субстрат ретінде PVD/CVD жабыны, магнетронды шашыратқыш өсу үлгісі, XRD, SEM,Атомдық күш, инфрақызыл спектроскопия, флуоресцентті спектроскопия және басқа талдаудың сынақ субстраттары, молекулалық сәуленің эпитаксиалды өсу субстраттары, кристалдық жартылай өткізгіштердің рентгендік талдауы

Кремний оксидті пластиналар - атмосфералық қысымды пештің түтік жабдығымен термиялық тотығу процесін пайдалана отырып, жоғары температурада (800 ° C ~ 1150 ° C) оттегі немесе су буы арқылы кремний пластинкаларының бетінде өсірілген кремний диоксиді пленкалары.Процестің қалыңдығы 50 нанометрден 2 микронға дейін, технологиялық температура Цельсий бойынша 1100 градусқа дейін, өсіру әдісі «ылғалды оттегі» және «құрғақ оттегі» екі түрге бөлінеді.Термиялық оксид – CVD тұндырылған оксид қабаттарына қарағанда жоғары біркелкі, жақсы тығыздалу және жоғары диэлектрлік беріктігі бар «өскен» оксид қабаты, нәтижесінде жоғары сапада болады.

Құрғақ оттегі тотығуы

Кремний оттегімен әрекеттеседі және оксид қабаты үнемі субстрат қабатына қарай жылжиды.Құрғақ тотығуды 850-ден 1200°C-қа дейінгі температурада, өсу қарқыны төмен болуы керек және MOS оқшауланған қақпаның өсуі үшін пайдалануға болады.Жоғары сапалы, ультра жұқа кремний оксиді қабаты қажет болғанда, дымқыл тотығудан құрғақ тотығуға артықшылық беріледі.Құрғақ тотығу сыйымдылығы: 15нм~300нм.

2. Ылғалды тотығу

Бұл әдіс жоғары температура жағдайында пеш түтігіне ену арқылы оксид қабатын қалыптастыру үшін су буын пайдаланады.Ылғалды оттегі тотығуының тығыздалуы құрғақ оттегі тотығуынан сәл нашар, бірақ құрғақ оттегі тотығуымен салыстырғанда оның артықшылығы 500 нм-ден астам қабықшаның өсуіне қолайлы өсу жылдамдығының жоғары болуы болып табылады.Ылғалды тотығу сыйымдылығы: 500нм~2мкм.

AEMD атмосфералық қысымды тотығу пешінің түтігі жоғары технологиялық тұрақтылықпен, жақсы пленка біркелкілігімен және бөлшектерді бақылаудың жоғары деңгейімен сипатталатын чехиялық көлденең пеш түтігі болып табылады.Кремний оксиді пешінің түтігі бір түтікке 50 пластинаға дейін өңдей алады, бұл пластинаның ішіндегі және аралық біркелкілігімен ерекшеленеді.