SiO2 жұқа пленкалы термиялық оксидті кремний пластинасы 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм

Тотыққан кремний пластиналарын өндірудің негізгі процесі әдетте келесі қадамдарды қамтиды: монокристалды кремнийді өсіру, пластиналарға кесу, жылтырату, тазалау және тотығу.

Монокристалды кремнийдің өсуі: Біріншіден, монокристалды кремний жоғары температурада Чохральский әдісі немесе Флоат-аймақ әдісі сияқты әдістермен өсіріледі. Бұл әдіс жоғары тазалық пен тор тұтастығы бар кремнийдің монокристалдарын дайындауға мүмкіндік береді.

Квадраттар: Өсірілген монокристалды кремний әдетте цилиндр тәрізді пішінде болады және пластина негізі ретінде пайдалану үшін жұқа пластиналарға кесілуі керек. Кесу әдетте гауһар кескішпен жасалады.

Жылтырату: Кесілген пластинаның беті тегіс емес болуы мүмкін және тегіс бет алу үшін химиялық-механикалық жылтырату қажет.

Тазалау: Жылтыратылған пластина кір мен шаңды кетіру үшін тазаланады.

Тотығу: Соңында, кремний пластиналары электрлік қасиеттері мен механикалық беріктігін жақсарту үшін кремний диоксидінің қорғаныс қабатын қалыптастыру, сондай-ақ интегралдық схемаларда оқшаулағыш қабат ретінде қызмет ету үшін тотығу өңдеуіне арналған жоғары температуралы пешке салынады.

Тотыққан кремний пластиналарының негізгі қолданылуына интегралдық схемаларды өндіру, күн батареяларын өндіру және басқа да электрондық құрылғыларды өндіру жатады. Кремний оксиді пластиналары тамаша механикалық қасиеттеріне, өлшемдік және химиялық тұрақтылығына, жоғары температура мен жоғары қысымда жұмыс істеу қабілетіне, сондай-ақ жақсы оқшаулағыш және оптикалық қасиеттеріне байланысты жартылай өткізгіш материалдар саласында кеңінен қолданылады.

Оның артықшылықтарына толық кристалдық құрылым, таза химиялық құрам, дәл өлшемдер, жақсы механикалық қасиеттер және т.б. жатады. Бұл ерекшеліктер кремний оксиді пластиналарын жоғары өнімді интегралдық схемалар мен басқа да микроэлектрондық құрылғыларды өндіруге ерекше қолайлы етеді.