SiO2 жұқа қабықша термооксиді кремний пластинасы 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм

Тотықтырылған кремний пластинкаларын өндірудің негізгі процесі әдетте келесі қадамдарды қамтиды: монокристалды кремнийдің өсуі, пластинаға кесу, жылтырату, тазалау және тотығу.

Монокристалды кремнийдің өсуі: Біріншіден, монокристалды кремний жоғары температурада Чохральски әдісі немесе қалқымалы аймақ әдісі сияқты әдістермен өсіріледі. Бұл әдіс жоғары тазалық пен тордың тұтастығы бар кремний монокристалдарын дайындауға мүмкіндік береді.

Кесу: Өсірілген монокристалды кремний әдетте цилиндрлік пішінде болады және оны вафли субстраты ретінде пайдалану үшін жұқа пластинкаларға кесу керек. Кесу әдетте алмас кескішпен жүзеге асырылады.

Жылтырату: Кесілген пластинаның беті біркелкі болмауы мүмкін және тегіс бетті алу үшін химиялық-механикалық жылтыратуды қажет етеді.

Тазалау: жылтыратылған вафли қоспалар мен шаңды кетіру үшін тазаланады.

Тотықтырғыш: Соңында, кремний пластиналары электрлік қасиеттері мен механикалық беріктігін жақсарту үшін кремний диоксидінің қорғаныс қабатын қалыптастыру үшін тотықтырғыш өңдеуге арналған жоғары температуралы пешке қойылады, сонымен қатар интегралды схемаларда оқшаулағыш қабат ретінде қызмет етеді.

Тотықтырылған кремний пластинкаларының негізгі қолданылуы интегралды схемаларды өндіруді, күн батареяларын өндіруді және басқа электрондық құрылғыларды өндіруді қамтиды. Кремний оксидті пластиналар тамаша механикалық қасиеттеріне, өлшемдік және химиялық тұрақтылығына, жоғары температура мен жоғары қысымда жұмыс істеу қабілетіне, сондай-ақ жақсы оқшаулағыш және оптикалық қасиеттеріне байланысты жартылай өткізгіш материалдар саласында кеңінен қолданылады.

Оның артықшылықтарына толық кристалдық құрылымы, таза химиялық құрамы, нақты өлшемдері, жақсы механикалық қасиеттері және т.б. жатады. Бұл ерекшеліктер кремний оксиді пластинкаларын жоғары өнімді интегралды схемаларды және басқа микроэлектрондық құрылғыларды өндіруге әсіресе қолайлы етеді.